高温管式退火炉

设备简介

高温管式退火炉是一款面向高精度材料热处理工艺研发的快速热处理管式炉(RTP)。设备以高纯石英管为核心炉膛腔体，搭配真空法兰密封结构，可选配高性能真空系统，能够快速有效地将炉腔内的气体排空，在短时间内建立并维持稳定的真空环境。

该设备采用高纯氮气侧部加热技术，升温速率高达50℃/秒，配合PID智能控温算法与30段可编程温控器，可精准执行复杂的热处理曲线。无论是真空退火、气氛保护退火，还是多温区梯度热处理，均可轻松胜任。

上海博纳热电炉该系列高温管式退火炉尤其适用于半导体硅片、化合物半导体、太阳能电池基片等对氧含量、表面洁净度及热历史极为敏感的样品退火工艺。

性能特点

1. 可选配真空系统，环境可控性强

设备预留高真空法兰接口，可根据工艺需求选配旋片泵或分子泵组，实现从低真空到高真空的宽域排空能力。通过持续监控炉腔内的真空状态，确保实验环境的高度稳定与可复现。

2. 快速升温，精准控温

升温速度最高可达50℃/秒，大幅缩短工艺周期。温控精度±1℃，有效避免因温度过冲导致的基片损伤或掺杂再分布。

3. 30段可编程控制，工艺适配广

内置30段可编程温控器，支持斜率升/降温、多段保温、循环运行等模式，可针对不同材料定制专属退火曲线。

4. 石英炉管+高纯加热环境

炉管采用优质透明石英玻璃，耐热冲击、低膨胀系数、无金属污染。加热方式采用高氮气保护加热，避免炉丝氧化，延长设备寿命。

5. 模块化设计，选型灵活

提供单温区/多温区RTP炉、真空/气氛RTP炉等多种型号，支持通气泵选配、真空度选配、温区数量定制。

应用领域

上海博纳热电炉高温管式退火炉广泛应用于高等院校材料实验室、中科院研究所、半导体芯片研发线、太阳能电池企业中试线等场景，典型工艺包括：

半导体基片快速退火：离子注入后活化、晶格修复、欧姆接触合金

太阳能电池基片退火：钝化层致密化、掺杂激活、薄膜晶化

薄膜沉积与处理：SiO₂、SiNx、金属薄膜的沉积后退火

硅化工艺：镍硅、钛硅等金属硅化物形成

扩散与晶化：多晶硅晶化、量子点材料扩散

致密化处理：溶胶凝胶薄膜、陶瓷涂层的真空致密化